| 发明名称 |
蚀刻剂及蚀刻方法 |
| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或是钨(W)系金属膜进行蚀刻之半导体基板用蚀刻剂，以及使用该蚀刻剂之蚀刻方法，本发明为一种半导体基板用蚀刻剂，系由包含(A)过氧化氢、(B)具有羟基之膦酸系螯合剂及(C)硷性化合物，以及(D-1)铜防蚀剂或/及(D-2)具有羟基之膦酸系螯合剂以外之不具有氧化力之2种以上的阴离子物种0.01重量%至3重量%之溶液所形成；此外，本发明为一种蚀刻方法，系使用该半导体基板用蚀刻剂对半导体基板上的Ti系金属膜或是W系金属膜进行蚀刻；再者，本发明系关于一种半导体基板用蚀刻剂调制液，系由包含(B)具有羟基之膦酸系螯合剂及(C)硷性化合物，以及(D-1)铜防蚀剂或/及(D-2)具有羟基之膦酸系螯合剂以外之不具有氧化力之2种以上的阴离子物种之溶液所形成。 |
| 申请公布号 |
TWI467055 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW097149639 |
申请日期 |
2008.12.19 |
| 申请人 |
和光纯药工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
松田修;菊池信之;林田一良;白旗里志 |
| 分类号 |
C23F1/38;C23F11/06;H01L21/306;H01L21/3213 |
主分类号 |
C23F1/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种半导体基板用蚀刻剂，其系于钛(Ti)系金属膜上部形成有铜配线之半导体基板用蚀刻剂，且包含至少含有以下的(A)、(B)、(C)以及(D-1)之溶液；(A)过氧化氢；(B)具有羟基之膦酸系螯合剂；(C)硷金属氢氧化物；(D-1)选自由表卤醇改质聚醯胺(Epihalohydrin Modified Polyamide)、苯并三唑(Benzotriazole)化合物、羟基羧酸(Hydroxycarboxylic Acid)及含氮环化合物所构成之群中的铜防蚀剂。 |
| 地址 |
日本 |
