发明名称 |
半导体封装制造方法及其封装结构 |
摘要 |
本发明提供一种半导体封装制造方法,其包括以下的步骤,首先,提供一基板,在该基板上设置一凹槽以及至少二穿孔,接着,设置一电路结构在该凹槽内,该电路结构包括一第一电极以及一第二电极,并通过该穿孔在该基板底面形成一第一外部电极以及一第二外部电极,然后,形成一第一透明层在该凹槽内,通过可移除的一阻挡层在该第一透明层形成一凹部,并使该凹部位于该第一、二电极之间,然后,设置一LED晶片在该凹部,使该LED晶片与该电路结构达成电性连接,最后,形成一封装层,该封装层包括一萤光层以及一第二透明层,该萤光层覆盖该LED晶片,该第二透明层覆盖该萤光层。本发明并提供该半导体封装结构。 |
申请公布号 |
TWI467809 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW101103362 |
申请日期 |
2012.02.02 |
申请人 |
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |
发明人 |
林厚德;张超雄 |
分类号 |
H01L33/48;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L33/48 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种半导体封装制造方法,其包括以下的步骤:提供一基板,在该基板上设置一凹槽以及至少二穿孔,设置一电路结构在该凹槽内,该电路结构包括一第一电极以及一第二电极,并通过该穿孔在该基板底面形成一第一外部电极以及一第二外部电极,形成一第一透明层在该凹槽内,通过可移除的一阻挡层在该第一透明层形成一凹部,并使该凹部位于该第一、二电极之间,设置一LED晶片在该凹部,使该LED晶片与该电路结构达成电性连接,及形成一封装层,该封装层包括一萤光层以及一第二透明层,该萤光层覆盖该LED晶片,该第二透明层覆盖该萤光层。 |
地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |