半导体发光元件之制造方法及半导体发光元件、灯、电子设备、机械装置

摘要

提供一种不易产生起因于第二n型半导体层表面所导致的发光层及p型半导体层之不良情形，且可获得高输出之半导体发光元件之制造方法。采用一种半导体发光元件1之制造方法，其特征为，具备：第一步骤，系在基板(11)上层积第一n型半导体层(12c)；及第二步骤，系在上述第一n型半导体层(12c)上，依序层积上述第一n型半导体层(12c)的再成长层(12d)、第二n型半导体层(12b)、发光层(13)以及p型半导体层(14)；在层积上述第二n型半导体层(12b)的步骤中，依序进行藉由供给比上述再成长层(12d)形成时还少量之上述Si作为掺杂物而形成第二n型半导体层第一层之步骤(1)，以及藉由供给比上述步骤(1)还多的上述Si而形成第二n型半导体层第二层之步骤(2)。

主权项

一种半导体发光元件之制造方法，其特征为，具备：第一步骤，系在第一有机金属化学气相成长装置中，于基板上层积第一n型半导体层；及第二步骤，系在第二有机金属化学气相成长装置中，于上述第一n型半导体层上，依序层积上述第一n型半导体层的再成长层、第二n型半导体层、发光层、以及由p包覆层和p接触层所构成的p型半导体层；在层积上述第二n型半导体层的步骤中，依序进行藉由供给比上述再成长层形成时还少量之Si作为掺杂物而形成第二n型半导体层第一层之步骤(1)、以及藉由供给比上述步骤(1)还多的上述Si而形成第二n型半导体层第二层之步骤(2)。