发明名称 记忆体晶粒、记忆体装置及其操作方法
摘要 本发明提供记忆体晶粒、记忆体晶粒堆叠、记忆体装置及方法,诸如用以建构及操作此种晶粒、堆叠及/或记忆体装置之彼等方法。一个此种记忆体晶粒包括经组态以相依于该晶粒系如何配置于一堆叠中而选择性地耦合至一外部选择连接节点之一识别。识别电路可回应于该识别电路若耦合则系如何耦合至该外部选择连接节点而判定其各别记忆体晶粒之一识别。
申请公布号 TWI467583 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW100104663 申请日期 2011.02.11
申请人 美光科技公司 美国 发明人 中西琢也;伊藤豊
分类号 G11C16/20;G11C5/06 主分类号 G11C16/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种记忆体晶粒堆叠,其包含:在对应记忆体晶粒上之复数个选择相关连接节点,每一节点经组态以相依于该等晶粒系如何配置于该记忆体晶粒堆叠中而接收一选择信号,且其中该等选择相关连接节点中之至少一者包含经组态以接收一选择信号之一外部选择连接节点;及复数个识别电路,其中该等识别电路中之每一者对应于该堆叠之该记忆体晶粒之一各别记忆体晶粒,其中该等识别电路中之每一者可相依于该各别晶粒系如何配置于该堆叠中而耦合至该复数个选择相关连接节点中之一者或多者,且其中该等识别电路中之每一者经组态以回应于彼识别电路系如何耦合至经组态以接收一选择信号之该等选择相关连接节点中之至少一者(若耦合)而判定其各别记忆体晶粒之一识别,其中藉由路由与该识别电路之位置分开之另一记忆体晶粒而将在一记忆体晶粒上之该等选择相关连接节点路由至在该另一记忆体晶粒上之该等选择相关连接节点。
地址 美国