发明名称 多晶片堆叠封装结构及其制法
摘要 一种多晶片堆叠封装结构,系包括:内层散热板,系具有相对之第一表面及第二表面,并具有复数贯穿该第一表面及第二表面之导电通孔;第一晶片,系接置于该内层散热板之第一表面上;以及第二晶片,系接置于该内层散热板之第二表面上,藉此于多晶片堆叠结构内层提供散热途径及增加整体结构之刚性。本发明复提供一种多晶片堆叠封装结构之制法。
申请公布号 TWI467735 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW099147157 申请日期 2010.12.31
申请人 矽品精密工业股份有限公司 台中市潭子区大丰路3段123号 发明人 黄品诚;赵俊杰;邱启新
分类号 H01L25/065;H01L23/373;H01L21/48 主分类号 H01L25/065
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种多晶片堆叠封装结构,系包括:内层散热板,系具有相对之第一表面及第二表面,且包括:金属板体,系具有复数贯穿该金属板体之穿孔;氧化层,系形成于该金属板体之部份表面及该些穿孔中之孔壁上,以外露该金属板体之侧面;以及导电通孔,系由导电材料形成于各该穿孔中之氧化层上;第一晶片,系接置于该内层散热板之第一表面上;以及第二晶片,系接置于该内层散热板之第二表面上。
地址 台中市潭子区大丰路3段123号