发明名称 |
发光元件 |
摘要 |
获得LED与保护二极体形成在相同基板上且具有适于覆晶构装之构成之发光元件。;在LED区域X形成LED,在保护二极体区域Y形成保护二极体。此时,LED阳极电极51a与保护二极体阴极电极52b、LED阴极电极52a与保护二极体阳极电极51b隔着分离槽Z分别对向。在p侧电极51与n侧电极52之厚度相同之情形,在LED区域X之LED阳极电极51a、LED阴极电极52a、在保护二极体区域Y之保护二极体阳极电极51b、保护二极体阴极电极52b之高度成为相同。 |
申请公布号 |
TWI467818 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW101117675 |
申请日期 |
2012.05.18 |
申请人 |
三垦电气股份有限公司 日本 |
发明人 |
杉森畅尚 |
分类号 |
H01L33/62;H01L33/36 |
主分类号 |
H01L33/62 |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼;林景郁 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
一种发光元件,具备下述构成,即具备积层有n型层与p型层之构成之半导体层形成在绝缘性基板上,使用该半导体层形成有发光二极体与保护二极体,其特征在于:在该基板上之形成有该发光二极体之区域即发光二极体区域与在该基板上之形成有该保护二极体之区域即保护二极体区域之间具备该半导体层已除去之分离槽;在该发光二极体区域之该半导体层上隔着绝缘层形成发光二极体阴极电极及发光二极体阳极电极,在该保护二极体区域之该半导体层上隔着绝缘层形成保护二极体阴极电极及保护二极体阳极电极;该发光二极体阳极电极与该保护二极体阴极电极、该发光二极体阴极电极与该保护二极体阳极电极分别配置成隔着该分离槽对向,在该半导体层上之该发光二极体阳极电极、该发光二极体阴极电极、该保护二极体阴极电极、该保护二极体阳极电极之高度设成大致相同;该发光二极体阳极电极、该发光二极体阴极电极系分别形成于在该发光二极体区域之一端部侧、另一端部侧;在该半导体层上形成有与该发光二极体阳极电极或该发光二极体阴极电极连接之透明电极,在该透明电极平行地设有复数个从该发光二极体阴极电极朝向该发光二极体阳极电极延伸之透明电极开口部。 |
地址 |
日本 |