半导体装置以及控制该半导体装置之方法

摘要

一种半导体装置，包含：含有非挥发性记忆胞(memory cell)之记忆胞阵列；包含于该记忆胞阵列中并储存区域资料之区域；保有(hold)自该记忆胞阵列转移来之资料并稍后输出该资料至外部(outside)之第一储存单元；以及在标准读取模式与高速读取模式之间作选择之控制电路，该标准读取模式系用来导致该第一储存单元保有自该记忆胞阵列转移来之区域资料并输出该区域资料至外部，而该高速读取模式系用来导致该第一储存单元保有由划分该区域资料所形成并自该记忆胞阵列转移来之复数件划分的资料并输出该划分的资料至外部。

主权项

一种半导体装置，包括：包含非挥发性记忆胞之记忆胞阵列；包含于该记忆胞阵列中并储存区域资料之区域；保有自该记忆胞阵列转移来之资料并稍后输出该资料至外部之第一储存单元；控制电路，该控制电路在标准读取模式与高速读取模式之间作选择，该标准读取模式系用来导致该第一储存单元保有自该记忆胞阵列转移来之该区域资料并输出该区域资料至该外部，而该高速读取模式系用来导致该第一储存单元保有由划分该区域资料所形成并自该记忆胞阵列转移来之复数件划分的资料并输出该划分的资料至该外部；以及读取电路，从该记忆胞阵列读取该资料，其中，该读取电路于该高速读取模式中比于该标准读取模式中以较大之电力消耗从该记忆胞阵列读取该资料。