主权项 |
一种记忆装置,包含:一记忆胞,其包含一记忆单元,以及具有一半导体层的一薄膜电晶体,一第一导电层,在该半导体层上并直接接触于该半导体层;一绝缘层,在该第一导电层上,该绝缘层包含与该第一导电层重叠的一开口;一有机化合物层,在该第一导电层上;和一第二导电层,在该有机化合物层上;其中该记忆单元包含该第一导电层,该有机化合物层,和该第二导电层之一层叠结构,其中该有机化合物层包含一第一层和一第二层,其中该第一层包含一金属氧化物和一第一有机化合物,其中该第二层包含一第二有机化合物并且与该第二导电层接触,和其中该第一导电层包含:一第三层,直接接触于该半导体层;一第四层,在该第三层上,并直接接触于该第三层;和一第五层,在该第四层上,并直接接触于该第四层;其中该有机化合物层直接接触于该第五层的一上表面;和其中该第一导电层延伸至且直接接触于该半导体层的一汲极区域。 |