发明名称 记忆装置和其制造方法
摘要 能传送并且接收资料而不需接触之半导体装置在某程度上是逐渐盛行的,如铁路票卡,电子钱卡片,等等;不过,提供廉价的半导体装置以更进一步地普及此技术是非常重要的。根据上述目前的条件,本发明之半导体装置包括简单结构之记忆体提供一种廉价的半导体装置和其制造方法。在记忆体内的记忆单元包含具有有机化合物之层体,以及在记忆单元部分的薄膜电晶体(TFT)之源极电极或汲极电极,其作为一导电层,形成记忆单元的位元线。
申请公布号 TWI467702 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW095110562 申请日期 2006.03.27
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 浅见良信;高野圭惠;坂仓真之;野村亮二;山崎舜平
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种记忆装置,包含:一记忆胞,其包含一记忆单元,以及具有一半导体层的一薄膜电晶体,一第一导电层,在该半导体层上并直接接触于该半导体层;一绝缘层,在该第一导电层上,该绝缘层包含与该第一导电层重叠的一开口;一有机化合物层,在该第一导电层上;和一第二导电层,在该有机化合物层上;其中该记忆单元包含该第一导电层,该有机化合物层,和该第二导电层之一层叠结构,其中该有机化合物层包含一第一层和一第二层,其中该第一层包含一金属氧化物和一第一有机化合物,其中该第二层包含一第二有机化合物并且与该第二导电层接触,和其中该第一导电层包含:一第三层,直接接触于该半导体层;一第四层,在该第三层上,并直接接触于该第三层;和一第五层,在该第四层上,并直接接触于该第四层;其中该有机化合物层直接接触于该第五层的一上表面;和其中该第一导电层延伸至且直接接触于该半导体层的一汲极区域。
地址 日本