萧特基二极体结构;SCHOTTKY DIODE STRUCTURE

摘要

本发明提供一种萧特基二极体结构。上述萧特基二极体结构包括半导体基板，其具有主动区；第一井区，形成于主动区中，第一井区具有第一导电类型；第一掺杂区，形成于第一井区上，第一掺杂区具有第一导电类型；第一电极，设置于主动区上，且覆盖第一掺杂区；第二电极，设置于主动区上，且接触第一井区；闸极结构，设置于第一井区上；第二掺杂区，形成于第一井区上，第二掺杂区具有相反于第一导电类型的第二导电类型，且闸极结构和第二掺杂区系设置于第一电极和第二电极之间。