半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

本发明为提供一种可将障壁金属薄膜化，且确保与金属电极的密着性，以及在薄膜进行膜厚控制、管理的半导体装置。半导体装置，其具备：半导体基板上的活性区域；和在活性区域内具有下部与上部的沟；和覆盖沟之内壁面的闸极绝缘膜；和介设闸极绝缘膜而覆盖沟下部的第一障壁金属；和覆盖第一障壁金属的第二障壁金属；和覆盖第二障壁金属，埋设沟下部的金属电极；和埋设沟之上部的间隙绝缘膜。第二障壁金属的膜厚比第一障壁金属的膜厚还薄。