半导体装置之制造方法;METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

在被高度为相异之第1线图案(52)和第2线图案(53)所包围之接触孔(54)处，残留有凹部(62)地而成膜第1绝缘膜(61)，并填埋凹部(62)地而形成第1遮罩膜(63)，再进行回蚀而将凹部(62)下以外之第1绝缘膜(61)除去，而形成第2接触孔(64)。之后，藉由将导电材料埋入至第2接触孔(64)中，并使高度为低之第1线图案(52)上面露出，而形成接触插塞。