发明名称 |
离子植入机与用于控制其中离子束的系统;ION IMPLANTER AND SYSTEM TO CONTROL ION BEAM IN SAME |
摘要 |
一种控制离子植入机中的离子束的系统,包括侦测系统与分析组件。侦测系统用于侦测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化,所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化,所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统亦包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化,其中当离子植入机中产生离子束时,所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。 |
申请公布号 |
TW201501168 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW103115794 |
申请日期 |
2014.05.02 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
托多罗夫 斯坦尼斯拉夫S;葛梅尔 乔治M;斯普林克 理查 艾伦;赫西 诺曼E;辛克莱 法兰克;常胜武;欧尔森 约瑟C;汀布莱克 大卫 罗杰;岱可 路克 库尔T |
分类号 |
H01J37/317(2006.01);H01J37/304(2006.01) |
主分类号 |
H01J37/317(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
主权项 |
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地址 |
美国 |