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经营范围
发明名称
包括多层玻璃核心之积体电路装置的基底及其制造方法
摘要
揭露积体电路(IC)装置之基底的实施例。基底包括由已接合在一起之两或更多离散玻璃层构成之核心。可在相邻玻璃层之间设置分离接合层以将这些层耦合在一起。基底亦可包括在多层玻璃核心的相对侧上,或者在核心之一侧上之增层结构。可在基底的两侧上形成导电端子,且IC晶粒可与基底之一侧上的端子耦合。在相对侧上之端子可与下一水平构件(如电路板)耦合。一或更多导体延伸通过多层玻璃核心,且导体之一或更多者可与设置在核心上方之增层结构电耦合。说明其他实施例并主张其专利权。
申请公布号
TWI467717
申请公布日期
2015.01.01
申请号
TW099137777
申请日期
2010.11.03
申请人
英特尔股份有限公司 美国
发明人
马庆;胡传;摩洛 派克
分类号
H01L23/485;H05K3/46
主分类号
H01L23/485
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种基底,包含:包括数个离散非晶质固体玻璃层之一核心,该核心具有一第一表面及一相对第二表面;从该第一表面延伸通过该核心至该第二表面的数个导体;设置在该核心的该第一表面之至少一电介质层及至少一金属层,其中在该第一表面的该至少一金属层与该些导体之至少一者电耦合;设置在该核心的该第二表面之至少一电介质层及至少一金属层,其中在该第二表面的该至少一金属层与该些导体之至少一者电耦合。
地址
美国
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