改良晶圆级晶片尺度封装技术

摘要

本案揭示之改良晶圆级晶片尺度封装技术并未使用一囊封通孔以连接在一重分布层与一半导体接垫环内的接垫之间。在一实施态样中，所形成之一第一介电层系终止在各晶粒之接垫环内。接着在一传导层中形成轨线，其中该传导层接触该等接垫之一并且在第一介电层之表面上覆盖过一开口之边缘。这些轨线可用于在接垫与一焊接球之间形成一电气连接。

主权项

一种封装半导体装置，其包含：一半导体晶粒，其包含配置在围绕该晶粒之一主动面上的该晶粒之周围之一接垫环中的数个接垫；形成在该主动面上之一第一介电层，其中该第一介电层包含终止在该接垫环内的一第一区，及位在该接垫环与该晶粒之一边缘之间的一另一区，使得围绕该接垫环之一区域没有该第一介电层；形成在一传导层内之数条轨线，其中各条轨线系连接至该等数个接垫中之一者并包含形成在该第一介电层上之一上方部分，且其中该等数条轨线中之至少一者包含形成在该第一介电层之该另一区上的一上方部分；一配置来囊封该主动面之第二介电层；以及数个焊接元件，各该焊接元件系电气连接至一轨线之一上方部分。