| 发明名称 |
活性硬遮罩电浆蚀刻时之现场光阻剥除 |
| 摘要 |
本发明揭露在矽层中蚀刻特征部的方法。在矽层上形成硬遮罩层。在硬遮罩层上形成光阻层。打开硬遮罩层。供应剥除气体以剥除光阻层；藉着供应高频RF功率和低频RF功率，利用剥除气体形成电浆，其中低频RF功率系小于50瓦特；以及当光阻层被剥除时，中止剥除气体。打开硬遮罩层和剥除光阻层系于同一个腔室中实施。 |
| 申请公布号 |
TWI467651 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW097118343 |
申请日期 |
2008.05.19 |
| 申请人 |
兰姆研究公司 美国 |
发明人 |
赵商骏;崔汤姆;韩泰俊;姜成勋;普拉伯哈克拉 勾帕拉达苏;严必明 |
| 分类号 |
H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/027;H01L21/02 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
许峻荣 新竹市民族路37号10楼 |
| 主权项 |
一种在矽层蚀刻特征部的方法，包括：在该矽层上形成一硬遮罩层，其中该硬遮罩层系矽基的，其中该形成该硬遮罩层的步骤包含：在该矽层上形成一第一层，其中该第一层系Si3N4；及在该第一层上形成一第二层，其中该第二层系SiO2；在该硬遮罩层上形成一光阻层；打开该硬遮罩层；及剥除该光阻层，此包含：供应一剥除气体；藉由供应一高频RF功率和一低频RF功率，利用该剥除气体形成一电浆，该高频RF功率的频率系大于或等于27MHz，该低频RF功率的频率系小于20MHz，其中该低频RF功率具有小于50瓦特的功率；及当该光阻层被剥除，中止该剥除气体。 |
| 地址 |
美国 |
