发明名称 |
制造太阳能电池可用之氮化矽钝化层的方法 |
摘要 |
形成的氮化矽层具有适当的折射率、质量密度和氢浓度,故可做为太阳能电池基板的ARC/钝化层。沉积期间添加氢气稀释剂至传统前驱物混合气体中,可形成氮化矽层于太阳能电池基板上。或者,使用主要由矽烷和氮气组成的前驱物混合气体,也可形成氮化矽层于太阳能电池基板上。为提高沉积室产量,氮化矽层为包括低氢界面层和厚块氮化矽层的双堆叠膜。将复数个太阳能电池基板放到基板承载器上及将基板承载器传送到沉积室内可进一步提高沉积室产量。 |
申请公布号 |
TWI467790 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW097112907 |
申请日期 |
2008.04.09 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
周立嵩;狄西山吉塔;崔寿永 |
分类号 |
H01L31/18;H01L31/042 |
主分类号 |
H01L31/18 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
一种形成氮化矽层于一太阳能电池基板上之方法,包含:放置至少一太阳能电池基板到一处理腔室中;流入一制程混合气体至该处理腔室内;以及在该处理腔室中产生一电浆来沉积一第一氮化矽层于该太阳能电池基板上,其中该制程混合气体包括一总体前驱物混合气体和一氢气(H2)稀释剂,该氢气稀释剂的流速实质上等于或大于该总体前驱物混合气体的流速。 |
地址 |
美国 |