发明名称 |
半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
本发明的目的是:提供一种具有电特性优良的电晶体的半导体装置;提供一种孔径比高且具有能够增大电荷容量的电容元件的半导体装置。一种半导体装置,包括:闸极电极;与闸极电极重叠的氧化物半导体膜;与氧化物半导体膜接触的氧化物绝缘膜;设置在闸极电极与氧化物半导体膜之间的第一阻氧膜;以及与第一阻氧膜接触的第二阻氧膜,其中在第一阻氧膜及第二阻氧膜的内侧设置有氧化物半导体膜及氧化物绝缘膜。 |
申请公布号 |
TW201501314 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW103115529 |
申请日期 |
2014.04.30 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;三宅博之;冈崎健一;早川昌彦;松田慎平 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L29/40(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |