包含延伸环绕一个或多个通道区之闸极电极的电晶体;TRANSISTOR INCLUDING A GATE ELECTRODE EXTENDING ALL AROUND ONE OR MORE CHANNEL REGIONS

摘要

本发明涉及含有延伸环绕一个或多个通道区之闸极电极的电晶体，公开一种包含基板及电晶体的半导体结构。该电晶体包含设于该基板上方之加高源极区及加高汲极区，一个或多个长形半导体线，闸极电极，以及闸极绝缘层。该一个或多个长形半导体线连接于该加高源极区与该加高汲极区之间，其中该一个或多个长形半导体线中之每一者的纵向系实质沿着垂直于该基板之厚度方向的水平方向延伸。该等长形半导体线各自包含通道区。该闸极电极延伸环绕该一个或多个长形半导体线的每个通道区。该闸极绝缘层设于该一个或多个长形半导体线中之每一者与该闸极电极之间。