双沟渠式整流器及其制造方法;STRUCTURE OF DUAL TRENCH RECTIFIER AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

双沟渠式MOS整流元件的结构包含复数个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-磊晶层内，复数个主沟渠各相距一平台单位，内具有主沟渠氧化层形成于主沟渠底部及侧壁并有导电的第一多晶矽层填于其中以形成沟渠金氧半结构；此外，复数个凹陷区于平台中，凹陷区内包含MOS结构，由导电的第二多晶矽层/副沟渠闸极氧化层/n-磊晶层组成，复数个p型本体(离子布植区)布植于凹陷区MOS结构的两侧；一顶部金属层毯覆式覆盖于包括该些多晶矽层、p型离子布植区的半导体基板正面以做为阳极，一底部金属层作为阴极形成于该重掺杂的n+半导体基板上。