| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME |
| 摘要 |
本发明系一种半导体装置及其制造方法，记忆排(101)系具有：具有第1电容器(203A)之主体部(200)，和加以形成于主体部(200)与周边电路(104)之间的直线状之导电膜(204)，和与导电膜(204)底部则接触加以形成之第2电容器(203B)，而第1电容器(203A)则与接触层(202)底部则接触加以形成而所构成。 |
| 申请公布号 |
TW201501273 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW103107434 |
申请日期 |
2014.03.05 |
| 申请人 |
ＰＳ４卢克斯科公司 |
发明人 |
池田典昭 |
| 分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
卢森堡 |
