发明名称 |
蚀刻液及蚀刻液套组、使用其的蚀刻方法以及半导体基板制品的制造方法;ETCHANT, ETCHANT KIT, ETCHING METHOD USING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT |
摘要 |
本发明提供一种蚀刻液,其为对具有第一层及第二层的半导体基板选择性地去除第二层的蚀刻液,其中所述第一层含有锗(Ge),所述第二层含有锗(Ge)以外的特定金属元素,并且所述蚀刻液含有有机硷性化合物。 |
申请公布号 |
TW201500585 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
申请号 |
TW103115796 |
申请日期 |
2014.05.02 |
申请人 |
富士软片股份有限公司 |
发明人 |
杉岛泰雄;高桥智美;小山朗子;上村哲也 |
分类号 |
C23F1/02(2006.01);C23F1/44(2006.01);C23F1/38(2006.01);C23F1/40(2006.01);C09K13/00(2006.01);C23F1/32(2006.01);H01L21/321(2006.01);H01L21/283(2006.01) |
主分类号 |
C23F1/02(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
主权项 |
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地址 |
日本 |