发明名称 新颖化合物半导体及其应用
摘要 本发明系关于一种新颖的化合物半导体及其应用,此化合物半导体可用于太阳能电池或作为热电材料。上述化合物半导体可由下列化学式所表示之:InxMyCo4-m-aAmSb12-n-zXnTez,其中M为至少一者选自由:Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu所组成之群组,A为至少一者选自由:Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir以及Pt所组成之群组,X为至少一者选自由:Si、Ga、Ge以及Sn所组成之群组,0<x<1,0<y<1,0≦m≦1,0≦n<9,0<z≦2且0<a≦1。
申请公布号 TWI467788 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW101117058 申请日期 2012.05.14
申请人 LG化学公司 南韩 发明人 朴哲;金兑训
分类号 H01L31/0747;H01L35/28;H01L35/32 主分类号 H01L31/0747
代理机构 代理人 苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 一种化合物半导体,系如以下化学式1所示:[化学式1]InxMyCo4-m-aAmSb12-n-zXnTez其中于该化学式1中,M系Zn,或为Zn且更包括至少一选自由Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所组成之群组;A系至少一选自由Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir及Pt所组成之群组;X系至少一选自由Si、Ga、Ge及Sn所组成之群组;0<x<1;0<y<1;0m1;0n<9;0<z2;且0<a1。
地址 南韩