| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本文中揭示一种半导体装置，其包括：一第一叠层，其具有一形成于一基板上之布线层；一第二叠层，其具有一形成于一基板上之布线层，该第二叠层之一主表面接合至该第一叠层之一主表面；一功能元件，其安置于该第一叠层及该第二叠层中之至少一者中；及一气隙，其穿透该第一叠层与该第二叠层之间的一界面，自一垂直于该第一叠层及该第二叠层之主表面之方向观看，该气隙安置于一包括该第一叠层及该第二叠层中之至少一者中之该功能元件的电路形成区之一外部。 |
| 申请公布号 |
TWI467695 |
申请公布日期 |
2015.01.01 |
| 申请号 |
TW101107059 |
申请日期 |
2012.03.02 |
| 申请人 |
新力股份有限公司 日本 |
发明人 |
平野嵩明 |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L25/00;H01L21/764 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，其包含：一第一叠层，其具有一形成于一基板上之布线层；一第二叠层，其具有一形成于一基板上之布线层，该第二叠层之一主表面接合至该第一叠层之一主表面；一功能元件，其安置于该第一叠层及该第二叠层中之至少一者中；及一具有均匀横截面之气隙，其穿透该第一叠层与该第二叠层之间的一界面，自一垂直于该第一叠层及该第二叠层之该等主表面之方向观看，该气隙安置于一包括该第一叠层及该第二叠层中之至少一者中之该功能元件的电路形成区之一外部。 |
| 地址 |
日本 |
