发明名称 |
一种层间介质层击穿的测试结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种层间介质层击穿的测试结构,至少包括:形成于介质层中金属化层,所述金属化层包括第一梳状金属层和第二梳状金属层,所述第一梳状金属层和第二梳状金属层相互交叉且被介质层隔离开;形成于介质层中且与所述金属化层处于不同层的若干条平行排列的栅极,栅极的一端分别与一晶体管器件的栅极端电连;每一条栅极与第一梳状金属层、第二梳状金属层的交叉部分在垂直方向的投影均有重合点;所述金属化层还包括插入在所述第一梳状金属层和第二梳状金属层之间的蛇形金属层。本实用新型的测试结构可以同时监控金属层与金属层之间、金属层与栅极之间是否发生击穿,并且可以找到击穿发生的位置点的个数。 |
申请公布号 |
CN204067309U |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201420508299.7 |
申请日期 |
2014.09.04 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
冯军宏;嵇刚 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种层间介质层击穿的测试结构,其特征在于,所述测试结构至少包括:形成于介质层中金属化层,所述金属化层包括第一梳状金属层和第二梳状金属层,所述第一梳状金属层和第二梳状金属层相互交叉且被介质层隔离开;形成于介质层中且与所述金属化层处于不同层的若干条平行排列的栅极,栅极的一端分别与一晶体管器件的栅极端电连;每一条栅极与第一梳状金属层、第二梳状金属层的交叉部分在垂直方向的投影均有重合点。 |
地址 |
100176 北京市大兴区大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |