发明名称 薄膜磁通量闸门传感器
摘要 一种磁通量闸门磁场传感器,包括励磁电流导体(4)和可饱和磁性材料包壳层(6),所述可饱和磁性材料包壳层具有在该包壳层的相反表面之间延伸的多个馈通通道(16),所述励磁电流导体迂回穿过多个所述馈通通道。
申请公布号 CN101896828B 申请公布日期 2014.12.31
申请号 CN200880120351.9 申请日期 2008.12.12
申请人 莱姆知识产权股份有限公司 发明人 W·泰帕
分类号 G01R33/04(2006.01)I;G01R33/05(2006.01)I 主分类号 G01R33/04(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 杜娟
主权项 一种磁通量闸门磁场传感器,包括励磁电流导体(4)和可饱和磁性材料包壳层(6),所述可饱和磁性材料包壳层(6)具有在该包壳层的相反表面(18,20)之间延伸的多个馈通通道(16),所述励磁电流导体迂回穿过所述多个馈通通道中的多个连续相邻的馈通通道,从包壳层的一侧(19)穿到相反侧(20)并且返回从馈通通道穿到连续相邻的馈通通道(16)。
地址 瑞士弗里堡