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Halbleitermodul (10), aufweisend: eine Halbleitervorrichtung (20), aufweisend: ein Halbleitersubstrat (24), eine erste Elektrode (26), die auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (24) ausgebildet ist, und eine zweite Elektrode (22), die auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (24) ausgebildet ist, die der einen Oberfläche gegenüber liegt; ein erstes leitendes Element (84, 40a), das mit der ersten Elektrode (26) in Kontakt steht; ein zweites leitendes Element (82, 50), das mit der zweiten Elektrode (22) in Kontakt steht; ein drittes leitendes Element (30), das mit dem zweiten leitenden Element (82, 50) in Kontakt steht und sich entlang des ersten leitenden Elements (84, 40a) erstreckt; und ein isolierendes Element (40d), das zwischen dem ersten leitenden Element (84, 40a) und dem dritten leitenden Element (30) isoliert, wobei das dritte leitende Element (30) am ersten leitenden Element (84, 40a) und zweiten leitenden Element (82, 50) befestigt ist, indem es zwischen dem ersten leitenden Element (84, 40a) und dem zweiten leitenden Element (82, 50) angeordnet ist, die Halbleitervorrichtung (20) am ersten leitenden Element (84, 40a) und am zweiten leitenden Element (82, 50) befestigt ist, indem sie zwischen dem ersten leitenden Element (84, 40a) und dem zweiten leitenden Element (82, 50) angeordnet ist, wobei das Halbleitermodul (10) ferner einen Zylinder (40c) aufweist, der aus einem Isolator besteht und der die Halbleitervorrichtung (20) umgibt und am ersten leitenden Element (84, 40a) angeordnet ist und an dessen Außenumfangsfläche eine erste Gewindenut (40f) ausgebildet ist; und wobei eine zweite Gewindenut (50c) am zweiten leitenden Element (82, 50) ausgebildet ist, und das zweite leitende Element (82, 50) durch Ineingriffbringen der ersten Gewindenut (40f) und der zweiten Gewindenut (50c) am Zylinder (40c) befestigt ist. |
