发明名称 | 负压罐CPU驱动电路 | ||
摘要 | 本发明提供一种负压罐CPU驱动电路,包括P沟道场效应管(Q8)、N沟道场效应管(Q5)和外围电路,P沟道场效应管(Q8)源极接电压输入端,漏极接电压输出端,栅极串联电阻R19后接入N沟道场效应管(Q5)的漏极,所述P沟道场效应管(Q8)的源极和漏极之间连接一电阻R17,所述P沟道场效应管(Q8)的源极和N沟道场效应管(Q5)的漏极之间连接一电阻R18。本发明的有益效果是可通过CPU发出的信号准确迅速的作出相应的导通或阻断电路的相应,具有结构简单、性能稳定和信号响应速度快的特点。 | ||
申请公布号 | CN104252140A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
申请号 | CN201310262603.4 | 申请日期 | 2013.06.26 |
申请人 | 天津赛思科技发展有限公司 | 发明人 | 刘志强;张增莲 |
分类号 | G05B19/04(2006.01)I | 主分类号 | G05B19/04(2006.01)I |
代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人 | 孙春玲 |
主权项 | 一种负压罐CPU驱动电路,其特征在于:包括P沟道场效应管(Q8)、N沟道场效应管(Q5)和外围电路,所述外围电路包括电阻R17‑R21和电容C17‑C19,所述P沟道场效应管(Q8)源极接电压输入端,漏极接电压输出端,栅极串联电阻R19后接入N沟道场效应管的漏极,所述P沟道场效应管(Q8)的源极和漏极之间连接一电阻R17,所述P沟道场效应管(Q8)的源极和N沟道场效应管(Q5)的漏极之间连接一电阻R18;所述N沟道场效应管(Q5)的源极接地,其栅极串联一电阻R20后连接一接地电阻R21电容C18并联电路形成信号输入端;所述N沟道场效应管(Q5)的源极和P沟道场效应管(Q8)的漏极之间分别连接一电容C17和一电容C19。 | ||
地址 | 300300 天津市东丽区福山路28号 |