| 发明名称 | CMOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一区域和第二区域形成栅极结构；在所述第一区域的栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内填充满第一应力层；在所述第二区域的栅极结构两侧的半导体衬底内形成第二凹槽；在所述第二凹槽内填充满第二应力层，所述第二应力层的应力类型与第一应力层相反；在所述第一应力层表面形成第一帽层，同时在第二应力层表面形成第二帽层。本发明的形成方法降低CMOS晶体管形成过程中的热预算，提高CMOS晶体管的可靠性以及电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104253090A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310259920.0 | 申请日期 | 2013.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 涂火金 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域的半导体衬底表面形成第一栅极结构，在所述第二区域的半导体衬底表面形成第二栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内填充满第一应力层；在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底内形成第二凹槽；在所述第二凹槽内填充满第二应力层，所述第二应力层的应力类型与第一应力层相反；在所述第一应力层表面形成第一帽层，同时在第二应力层表面形成第二帽层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||