| 发明名称 |
一种具有多重垒层LED外延结构 |
| 摘要 |
一种具有多重垒层LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区包括阱层和多重垒层。多重垒层包括In<sub>X</sub>Ga<sub>1-X</sub>N层、GaN层和Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N层三层。在生长蓝光LED过程中，生长有源区时，多重垒层和阱层交替生长。同现有技术相比，本发明采用多重垒层结构，通过改变垒层高度、提高晶体质量、释放应力，从而提高辐射复合几率达到增强LED出光效率的目的。 |
| 申请公布号 |
CN104253181A |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
| 申请号 |
CN201310257840.1 |
申请日期 |
2013.06.26 |
| 申请人 |
南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
发明人 |
田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞 |
| 分类号 |
H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种具有多重垒层LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区、电子阻挡层（7）和P型GaN层（8），其特征在于：所述有源区包括阱层（5）和多重垒层（60），多重垒层（60）包括In<sub>X</sub>Ga<sub>1‑X</sub>N层（601）、GaN层（602）和Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N层（603）三层，在生长蓝光LED过程中，生长有源区时，多重垒层（60）和阱层（5）交替生长。 |
| 地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |
