| 发明名称 | 铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 一种铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜、其制备方法和应用，该铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜制备方法包括以下步骤：将MgO、BaO、WO<sub>3</sub>及Ce<sub>2</sub>O<sub>3</sub>混合，烧结形成溅射靶材；进行磁控溅射，形成铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜前体；将该铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜前体进行退火处理，得到铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜，该铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜具有较强的发光效率，在红光区和蓝光区有较强的发光峰；该方法具有操作简单、成本低廉，适于工业化生产的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103534332B | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201180070930.9 | 申请日期 | 2011.06.28 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 发明人 | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 |
| 分类号 | C09K11/08(2006.01)I;C09K11/77(2006.01)I;C09K11/55(2006.01)I;C09K11/68(2006.01)I | 主分类号 | C09K11/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人 | 刘抗美;周惠来 |
| 主权项 | 一种铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜制备方法，包括如下步骤：将氧化镁、氧化钡、三氧化钨及三氧化二铈混合，烧结形成溅射靶材，其中，所述氧化镁的质量百分含量为0.1％～15％，所述氧化钡的质量百分含量为0.1％～40％、所述三氧化二铈的质量百分含量为0.01％～0.8％，余量为三氧化钨；将所述溅射靶材进行磁控溅射，形成铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜前体；将所述铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜前体进行退火处理，得到铈掺杂钨酸钡镁发光薄膜。 | ||
| 地址 | 518031 广东省深圳市南海大道海王大厦A座22层 | ||