半导体功率装置的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体功率装置的制作方法。首先提供一基底，其上包括有至少一半导体层以及一衬垫层。接着，于衬垫层及半导体层内蚀刻出至少一沟渠，并且于沟渠内及衬垫层上形成一掺质来源层，然后，进行一热驱入工艺，将掺质来源层的掺质扩散到半导体层，接着，进行一快速高温处理，用来修补位于所述的掺质来源层内以及掺质来源层与半导体层接面间的缺陷，最后，进行一抛光工艺，去除所述衬垫层上的所述掺质来源层。

主权项

一种半导体功率装置的制作方法，其特征在于包括：提供一基底，其上包括有至少一半导体层及一衬垫层；于所述的衬垫层及所述的半导体层内蚀刻出至少一沟渠；于所述的沟渠内以及所述的衬垫层上形成一掺质来源层；进行一热驱入工艺，将所述掺质来源层的掺质扩散到所述的半导体层；进行一快速高温处理，修补所述掺质来源层内以及掺质来源层与半导体层接面间的缺陷；进行一抛光工艺，去除所述衬垫层上的所述掺质来源层；以及形成一栅极氧化层，覆盖住位于所述沟渠内的所述掺质来源层。