浅沟槽隔离方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离方法，包括以下步骤：步骤一、提供基底，基底的一侧表面形成有栅电极，相邻的栅电极之间形成浅沟槽；步骤二、在步骤一得到的基底上形成有栅电极的一侧沉积高密度等离子体氧化物形成高密度等离子体氧化物层；步骤三、采用湿法腐蚀对步骤二得到高密度等离子体氧化物层进行腐蚀，在高密度等离子体氧化物层上形成开口，开口的深宽比小于浅沟槽的深宽比；步骤四、在开口内进一步填充所述高密度等离子体氧化物以与步骤三的高密度等离子体氧化物形成对浅沟槽的完整填充。上述浅沟槽隔离方法，能够形成对浅沟槽的完整填充，有效避免浅沟槽的洞口过早封死而影响高密度等离子体氧化物的填充，避免产生空隙。

主权项

一种浅沟槽隔离方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供基底，所述基底的一侧表面形成有栅电极，相邻的所述栅电极之间形成浅沟槽；步骤二、在步骤一得到的所述基底上形成有栅电极的一侧沉积高密度等离子体氧化物形成高密度等离子体氧化物层；步骤三、采用湿法腐蚀对步骤二得到高密度等离子体氧化物层进行腐蚀，在所述高密度等离子体氧化物层上形成开口，所述开口的深宽比小于所述浅沟槽的深宽比；步骤四、在所述开口内进一步填充所述高密度等离子体氧化物以与步骤三的高密度等离子体氧化物形成对所述浅沟槽的完整填充。