发明名称 |
具有降低衬底翘曲的背面结构的集成电路 |
摘要 |
本发明通过形成在晶圆的反面上的结构来改善深沟槽电容器引起的晶圆翘曲。反面上的结构包括张力膜。张力膜可形成在晶圆的背面上的沟槽内,这样会增强其效果。在一些实施例中,使用晶圆形成3D-IC器件。在一些实施例中,3D-IC器件包括高电压或高功率电路。本发明还公开了具有降低衬底翘曲的背面结构的集成电路。 |
申请公布号 |
CN104253127A |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201310395495.8 |
申请日期 |
2013.09.03 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈志明;王嗣裕;喻中一 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种集成电路器件,包括:第一半导体衬底,具有正面和背面;第一结构,包括形成在所述正面上的深沟槽电容器,所述第一结构包括向所述衬底施加压应力的张力材料;以及第二结构,形成在所述衬底的所述背面上,所述第二结构包括向所述衬底施加压应力的张力材料;其中,所述第二结构包括选自由下列组成的组的结构:厚度大于位于所述正面上的相同材料的任何膜的厚度的一层或多层张力膜;以及填充所述衬底内的沟槽的张力材料。 |
地址 |
中国台湾新竹 |