发明名称 一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法
摘要 一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法,在硅衬底上印上一层厚度为20μm青铜浆层,干燥后放入快速退火炉,加热到720℃之后,保温10秒,然后停火冷却;取出后在硅衬底上青铜层的表面印制厚度为40μm的锌浆层,干燥后放入快速退火炉中,加热到720℃之后,保温10秒,然后停火冷却,使硅衬底表面与青铜层相结合的硅层从硅衬底上剥离;放入化学蚀刻液中,将锌层和青铜层腐蚀溶解,取出剩余的硅层,清洗后晾干,即得到厚度为30-50μm的超薄硅片。本方案退火温度较低,降低了能源消耗;以青铜和锌为丝印层,均为传统的材料,便于进行大规模化生产,利于降低成本。
申请公布号 CN102683179B 申请公布日期 2014.12.31
申请号 CN201210188942.8 申请日期 2012.06.11
申请人 河南科技大学 发明人 李国岭;周锋子;李立本;李航;王丹丹;李新忠
分类号 H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人 孙笑飞
主权项 一种基于SLiM‑Cut技术制备超薄硅片的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)、取大小为5×5 cm<sup>2</sup>的硅片作为衬底;(2)、将硅衬底水平放置,在其上表面通过丝网印刷的方法印上一层厚度为20μm青铜浆层;(3)、然后将印有青铜浆层的硅衬底放置在200℃的条件下,使青铜浆层干燥,形成青铜层;(4)、将附有干燥后青铜层的硅衬底放入快速退火炉中,加热到720 ℃之后,保温10秒,然后停火,风冷冷却;(5)、将步骤(4)冷却后的硅衬底取出,设有青铜层的一面朝上放置,通过丝网印刷的方法在硅衬底上青铜层的表面印制厚度为40μm的锌浆层,然后在200℃的条件下,使锌浆层干燥,形成锌层;(6)、将步骤(5)的硅衬底制备有锌层的一面朝上放入快速退火炉中,加热到720 ℃之后,保温10秒,然后停火,风冷冷却,在冷却过程中利用不同材料热膨胀系数的差异,通过锌层的收缩,使硅衬底表面与青铜层相结合的硅层从硅衬底上剥离;(7)、将锌层、青铜层和附着在青铜层上的硅层一同从硅衬底上剥离,然后放入化学蚀刻液中,将锌层和青铜层腐蚀溶解,取出剩余的硅层,清洗后晾干,即得到厚度为30‑50μm的超薄硅片。
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