| 发明名称 | 降低二维晶体材料接触电阻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种降低二维晶体材料接触电阻的方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有二维晶体材料层；在所述二维晶体材料层上形成图案化的掩膜层；在掩膜层及二维晶体材料层上形成接触材料层；进行离子注入；去除掩膜层及其上的接触材料层；进行热退火工艺。本发明不需要额外增加掩膜版和刻蚀工艺，自对准实现二维晶体材料层接触电阻的调整，有效降低了二维晶体材料与接触材料的接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN104253015A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310254601.0 | 申请日期 | 2013.06.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 贾昆鹏;粟雅娟;朱慧珑;赵超 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 王立民 |
| 主权项 | 一种降低二维晶体材料接触电阻的方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有二维晶体材料层；在所述二维晶体材料层上形成图案化的掩膜层；在掩膜层及二维晶体材料层上形成接触材料层；进行离子注入；去除掩膜层及其上的接触材料层；进行热退火。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||