| 发明名称 | 功率器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了具有改善的场阑层的功率器件及其制造方法。所述功率器件包括：由半导体衬底形成的并且为第一导电型的第一场阑层；形成在所述第一场阑层上的并且为所述第一导电型的第二场阑层，所述第二场阑层具有杂质浓度高于所述第一场阑层的区域；形成在所述第二场阑层上的并且为所述第一导电型的漂移区，所述漂移区具有的杂质浓度低于所述第一场阑层；形成在所述漂移区上的多个功率器件单元；以及形成在所述第一场阑层下面的集电极区，其中所述第二场阑层包括具有第一杂质浓度的第一区域和具有第二杂质浓度的第二区域，所述第二杂质浓度高于所述第一杂质浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN104253155A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201410302836.7 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 快捷韩国半导体有限公司 | 发明人 | 李奎炫;金永哲;朴庆锡;李峰龙;崔嵘澈 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种功率器件，包括：第一导电型的第一场阑层；形成在所述第一场阑层上的并且为所述第一导电型的第二场阑层，所述第二场阑层具有杂质浓度高于所述第一场阑层的区域；形成在所述第二场阑层上的并且为所述第一导电型的漂移区，所述漂移区具有的杂质浓度低于所述第一场阑层；形成在所述漂移区上的多个功率器件单元；以及形成在所述第一场阑层下面的集电极区，其中所述第二场阑层包括具有第一杂质浓度的第一区域和具有第二杂质浓度的第二区域，所述第二杂质浓度高于所述第一杂质浓度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||