发明名称 |
一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法 |
摘要 |
一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法,采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测,KT电子扫描显微镜持续发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描,源极多晶硅表面的价电子被激发,形成二次电子,然后KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像,异常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。本发明能够简单有效地检测到源极多晶硅的表面异常,降低了晶片受损的可能性。 |
申请公布号 |
CN104253061A |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201310266284.4 |
申请日期 |
2013.06.28 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
杨兴 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
张静洁;徐雯琼 |
主权项 |
一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法,其特征在于,采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测,该方法包含以下步骤:步骤1、KT电子扫描显微镜发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描,源极多晶硅表面的价电子被激发,形成二次电子;KT电子扫描显微镜持续对源极多晶硅表面进行扫描;步骤2、KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像,判断是否存在表面异常。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |