| 发明名称 | 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅组件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是揭露一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)组件，包含基底；第一氧化层设于该基底上；富硅陷补层(silicon-rich trapping layer)设于该第一氧化层上；含氮层设于该富硅陷补层上；富硅氧化层(silicon-rich oxide layer)设于该含氮层上；以及多晶硅层设于该富硅氧化层上。 | ||
| 申请公布号 | CN104253129A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310254596.3 | 申请日期 | 2013.06.25 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨进盛;陈建宏 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 贾静环 |
| 主权项 | 一种硅‑氧化物‑氮化物‑氧化物‑硅(SONOS)组件，包含：基底；第一氧化层设于该基底上；富硅陷补层(silicon‑rich trapping layer)设于该第一氧化层上；含氮层设于该富硅陷补层上；富硅氧化层(silicon‑rich oxide layer)设于该含氮层上；以及多晶硅层设于该富硅氧化层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||