采用光加热的CVD设备

摘要

本发明涉及半导体生产设备的设计领域，尤其涉及采用光加热的CVD设备。本发明提供的采用光加热的CVD设备通过采用在所述壳体与所述传输带之间设置所述滚筒组，利用所述滚筒组与壳体和所述传输带的密封连接关系，达到所述壳体与所述传输带之间的动态密封设计；通过在所述壳体上开设有供工作气体进入的进气口和排气口，使镀膜前壳体内部形成高浓度的工作气体，使得镀膜过程中，避免放置于所述传输带上的待镀膜材料与空气发生化学反应；同时，本发明的CVD设备采用移动的光热混合装置，用移动的替代固定的光热混合装置，可以使得整个光热混合装置微型化。

主权项

采用光加热的CVD设备，包括一壳体，其特征在于：所述壳体横向两侧分别设有供放置待镀材料的传输带通过的入口和出口，且所述传输带将所述壳体分隔成上腔与下腔，所述壳体之入口和出口处分别设有动态夹持所述传输带的滚筒组，各所述滚筒组包括贴设于传输带上侧的上滚筒和贴设于传输带下侧的下滚筒，所述壳体上还设有驱动所述滚筒组运转的第一伺服电机；所述壳体上开设有供工作气体进入的进气口及排气口；所述下腔内设有移动的光热混合装置，所述光热混合装置具有一朝向所述传输带并喷射工作气体的喷气嘴。