发明名称 一种Nand存储器及数据存储方法
摘要 本发明公开了一种Nand存储器及数据存储方法,该Nand存储器,该Nand存储包括:一个单层式储存SLC格式的分区和一个多层式储存MLC格式分区,其中,所述MLC格式分区为所述Nand存储器中除所述SLC格式的分区外的剩余区域。本发明所提供的方法和装置是在一个Nand存储器中划分出单层式储存SLC格式的分区和多层式储存MLC格式分区,使得一个Nand存储器中可以兼顾单层式储存SLC格式的分区和多层式储存MLC格式分区的优点。
申请公布号 CN104252417A 申请公布日期 2014.12.31
申请号 CN201310270348.8 申请日期 2013.06.28
申请人 联想(北京)有限公司 发明人 李海
分类号 G06F12/02(2006.01)I 主分类号 G06F12/02(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种形成Nand存储器的方法,其特征在于,该方法包括:在对Nand存储器创建分区时,接收用于进行分区的分区参数,并写入到所述Nand存储器的内嵌式存储器芯片中,其中,所述分区参数包括各分区的起始地址、各分区的区域大小以及各分区的单层式储存SLC/多层式储存MLC属性;根据所述分区参数将所述Nand存储器划分出一个单层式储存SLC格式的分区和一个多层式储存MLC格式分区,其中所述MLC格式分区为所述Nand存储器中除所述SLC格式的分区外的剩余区域。
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