发明名称 | 一种Nand存储器及数据存储方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种Nand存储器及数据存储方法,该Nand存储器,该Nand存储包括:一个单层式储存SLC格式的分区和一个多层式储存MLC格式分区,其中,所述MLC格式分区为所述Nand存储器中除所述SLC格式的分区外的剩余区域。本发明所提供的方法和装置是在一个Nand存储器中划分出单层式储存SLC格式的分区和多层式储存MLC格式分区,使得一个Nand存储器中可以兼顾单层式储存SLC格式的分区和多层式储存MLC格式分区的优点。 | ||
申请公布号 | CN104252417A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
申请号 | CN201310270348.8 | 申请日期 | 2013.06.28 |
申请人 | 联想(北京)有限公司 | 发明人 | 李海 |
分类号 | G06F12/02(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
主权项 | 一种形成Nand存储器的方法,其特征在于,该方法包括:在对Nand存储器创建分区时,接收用于进行分区的分区参数,并写入到所述Nand存储器的内嵌式存储器芯片中,其中,所述分区参数包括各分区的起始地址、各分区的区域大小以及各分区的单层式储存SLC/多层式储存MLC属性;根据所述分区参数将所述Nand存储器划分出一个单层式储存SLC格式的分区和一个多层式储存MLC格式分区,其中所述MLC格式分区为所述Nand存储器中除所述SLC格式的分区外的剩余区域。 | ||
地址 | 100085 北京市海淀区上地创业路6号 |