| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：一衬底，所述衬底具有至少一个通孔；形成于所述通孔侧壁和底壁上的填充材料层，所述填充材料层还具有一凹槽；以及形成于所述凹槽内的缓冲材料层。采用本发明的半导体器件可以有效避免因为填充材料层的残余应力而导致的分层问题，大幅提高了产品可靠性和良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104253109A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310261391.8 | 申请日期 | 2013.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李广宁;沈哲敏 |
| 分类号 | H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/538(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：一衬底，所述衬底具有至少一个通孔；形成于所述通孔侧壁和底壁上的填充材料层，所述填充材料层还具有一凹槽；以及形成于所述凹槽内的缓冲材料层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||