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<p>본 발명은 반도체 구조의 형성방법 및 반도체 구조를 제공한다. 반도체 구조의 형성방법은, 반도체 기판을 제1 활성 영역 및 제2 활성 영역으로 나누는 오목홈을 반도체 기판 내에 형성하는 단계; 제1 활성 영역 내에 제1 웰 영역을 형성하고, 상기 제2 활성 영역 내에 제2 웰 영역을 형성하고, 상기 제1 웰 영역과 제2 웰 영역의 연결부에 공핍 영역을 형성하는 단계; 오목홈의 바닥부의 제1 웰 영역에서 제1 웰 영역의 유형과 같은 유형의 제1차 이온 주입을 진행하고, 오목홈의 바닥부의 제2 웰 영역에서 제2 웰 영역의 유형과 같은 유형의 제2차 이온 주입을 진행하는 단계를 포함한다. 이온 주입 후, 오목홈 내에 유전체층을 충전하여 격리구조를 형성한다. 본 발명의 방법으로 격리구조의 크기를 줄일 수 있고, 나아가 격리구조가 칩에서 차지하는 면적을 줄일 수 있다. 또한 반도체 소자가 손상되지 않게 보호하도록 정전기 보호 회로를 비교적 쉽게 트리거할 수 있다. 또한 래치업의 발생 확률을 줄일 수 있다.</p> |
