场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

摘要

本发明为场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，公开了一种FS型RC-IGBT，包括终端结构和有源区，场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的衬底为N型衬底，衬底的背面设有N型的电场终止层，电场终止层背离衬底的一面设有背面P型结构，背面P型结构的表面设有背面金属层；有源区内形成有多个从背面P型结构贯穿至电场终止层内的多晶硅填充结构。本发明还涉及一种FS型RC-IGBT的制造方法。本发明终端结构内无多晶硅填充结构，二极管导通时只有少部分空穴流过终端结构内的漂移区，减小了内置二极管恢复时恢复电流的大小，改善了二极管的反向恢复能力。另外，采用多晶硅替代N+导电结构来实现反向导通的功能，由于多晶硅的电阻率更容易调节，因此更容易优化折中IGBT及其内置二极管的特性。

主权项

一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管，包括外围的终端结构和被所述终端结构包围的有源区，所述场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的衬底为N型衬底，所述衬底的背面设有N型的电场终止层，所述电场终止层背离所述衬底的一面设有背面P型结构，所述背面P型结构背离所述衬底的表面设有背面金属层；其特征在于，所述有源区内形成有多个从所述背面P型结构贯穿至所述电场终止层内的多晶硅填充结构，所述终端结构内不设置所述多晶硅填充结构。