| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤一：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有一个硅通孔结构；步骤二：对所述半导体衬底进行电解抛光；以及步骤三：对所述步骤二后的半导体衬底进行化学机械研磨。采用本发明的半导体器件的制造方法，可以有效减少因为凹陷而导致的不良，从而提高良率，并且能够有效降低步骤三中化学机械研磨的负担，从而降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN104253034A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201310261394.1 | 申请日期 | 2013.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李广宁;沈哲敏 |
| 分类号 | H01L21/3063(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3063(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：步骤一：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上至少具有一个硅通孔结构；步骤二：对所述半导体衬底进行电解抛光；以及步骤三：对所述步骤二后的半导体衬底进行化学机械研磨。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||