| 发明名称 | 宽禁带半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种宽禁带半导体器件，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本实用新型的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构，减小了热膨胀的影响，提高了稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN204067370U | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201420436988.1 | 申请日期 | 2014.08.04 |
| 申请人 | 台州市一能科技有限公司;星野政宏 | 发明人 | 星野政宏;张乐年 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 台州市方圆专利事务所 33107 | 代理人 | 张智平;章以臣 |
| 主权项 | 一种宽禁带半导体器件，其特征在于，包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片(1)和使用宽禁带半导体材料制成的底座(2)，并在所述的底座(2)上设有放置芯片(1)的凹槽结构(4)。 | ||
| 地址 | 318000 浙江省台州市开发大道东段818号3幢4层西侧 | ||