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Ein Leistungshalbleiterbauelement enthält einen Halbleiterkörper (90) mit einer aktiven Zone (55) und einer Hochspannungsperipheriezone (50) seitlich beieinander, wobei die Hochspannungsperipheriezone (50) die aktive Zone (55) seitlich umgibt, eine Metallisierungsschicht (26) auf der vorderen Oberfläche des Halbleiterkörpers (90), mit der aktiven Zone (55) verbunden, eine erste Barrierenschicht (24), umfassend ein hochschmelzendes Metall oder eine hochschmelzende Legierung, zwischen der aktiven Zone (55) und der Metallisierungsschicht (26) angeordnet, eine zweite Barrierenschicht (25), die mindestens einen Teil der Peripheriezone (50) bedeckt, wobei die zweite Barrierenschicht (25) ein amorphes halbisolierendes Material umfasst, wobei die erste Barrierenschicht (24) und die zweite Barrierenschicht (25) teilweise überlappen und eine Überlappungszone (52) bilden, wobei sich die Überlappungszone über einen ganzen Umfang der aktiven Zone (55) erstreckt. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Leistungshalbleiterbauelements bereitgestellt. |
