具有自保护熔丝的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有金属熔丝的半导体器件。金属熔丝连接电部件(例如，晶体管)和现有的接地的伪部件。金属熔丝的保护可以设计为起始于金属化形成工艺的开始阶段。接地的伪部件在整个后段制程工艺期间为等离子体充电提供至地面的路径。金属熔丝是与二极管(电路级保护)相反的工艺级保护。作为工艺级保护，金属熔丝保护随后形成的电路。此外，不同于已经实施的内部伪图案，金属熔丝在芯片中不需要额外的有源区。本发明还提供了一种制造半导体器件的方法。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其中形成有有源区和接地的伪部件；栅叠件，形成在所述有源区上方；第一电接触件和第二电接触件，所述第一电接触件与所述栅叠件接触，所述第二电接触件电连接至所述伪部件；多个图案化的金属层，每个所述图案化的金属层都包括分别电连接至所述第一电接触件和所述第二电接触件的第一金属图案和第二金属图案，并且所述第一金属图案和所述第二金属图案通过金属间介电层分隔开；钝化层，位于所述多个图案化的金属层中最顶部的图案化的金属层上方；第一金属焊盘和第二金属焊盘，所述第一金属焊盘电连接至所述第一电接触件，所述第二金属焊盘电连接至所述第二电接触件；以及金属熔丝，连接两个金属部件，其中，所述两个金属部件中的第一个直接连接至所述第一电接触件，而所述两个金属部件中的第二个直接连接至所述第二电接触件，并且所述两个金属部件是所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘或是所述多个图案化的金属层中的一个金属层中的第一金属图案和第二金属图案。