| 发明名称 | 肖特基二极管结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种肖特基二极管结构。其中该肖特基二极管结构包括：半导体基板，具有主动区；第一阱区，形成于该主动区中，其中该第一阱区具有第一导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；第一电极，设置于该主动区上，且覆盖该第一掺杂区；第二电极，设置于该主动区上，且接触该第一阱区；栅极结构，设置于该第一阱区上；以及第二掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第二掺杂区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型，其中该栅极结构和该第二掺杂区设置于该第一电极和该第二电极之间。本发明所提供的肖特基二极管结构，可降低逆向偏压条件下的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104253163A | 申请公布日期 | 2014.12.31 |
| 申请号 | CN201410130869.8 | 申请日期 | 2014.04.02 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 蒋柏煜 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人 | 白华胜;段晓玲 |
| 主权项 | 一种肖特基二极管结构，其特征在于，包括：半导体基板，具有主动区；第一阱区，形成于该主动区中，其中该第一阱区具有第一导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第一掺杂区具有该第一导电类型；第一电极，设置于该主动区上，且覆盖该第一掺杂区；第二电极，设置于该主动区上，且接触该第一阱区；栅极结构，设置于该第一阱区上；以及第二掺杂区，形成于该第一阱区上，其中该第二掺杂区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型，其中该栅极结构和该第二掺杂区设置于该第一电极和该第二电极之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||