发明名称 |
GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 |
摘要 |
本发明涉及半导体光电子材料与器件领域,公开了一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法,包括步骤:S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层;S2、在所述GaAs缓冲层的顶部生长高应变阱层,生长过程中通入B源形成含B高应变阱层;S3、在所述含B高应变阱层上生长GaAs垒层或应变补偿垒层,形成GaAs基含B高应变量子阱。本发明还公开了一种GaAs基含B高应变量子阱以及一种边发射半导体激光器。本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大,从而实现对晶格失配度的调控;通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能,从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长;通过对含B高应变阱层进行应变补偿,从而提高量子阱的光学质量。 |
申请公布号 |
CN103151710B |
申请公布日期 |
2014.12.31 |
申请号 |
CN201110401751.0 |
申请日期 |
2011.12.06 |
申请人 |
北京邮电大学 |
发明人 |
王琦;贾志刚;郭欣;任晓敏;黄永清 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种GaAs基含B高应变量子阱的制备方法,包括以下步骤:S1、在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层;S2、在所述GaAs缓冲层顶部生长高应变阱层,生长过程中通入B源以形成含B高应变阱层,所述含B高应变阱层的材料为BGaAsSb,且Sb的组分大于或等于30%;S3、在所述含B高应变阱层上生长应变补偿垒层或GaAs垒层,以形成GaAs基含B高应变量子阱。 |
地址 |
100876 北京市海淀区西土城路10号 |