制造III族氮化物半导体发光元件的方法

摘要

一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法。以均匀的厚度图案化包括Ag或Ag合金的反射膜而不降低反射率。反射膜通过溅射法、真空沉积等形成在第一绝缘膜的整个表面上，并且通过剥离法在反射膜上形成具有给定图案的阻挡金属膜。使用银蚀刻液体对反射膜进行湿蚀刻。阻挡金属膜未被银蚀刻液体湿蚀刻，因此用作掩模，并且在其上已经形成有阻挡金属膜的区域中的反射膜保持未被蚀刻。因此，可以在第一绝缘膜上均匀地形成具有期望的图案的反射膜。

主权项

一种制造III族氮化物半导体发光元件的方法，所述III族氮化物半导体发光元件具有包括Ag或Ag合金的反射膜，所述方法包括：形成反射膜的第一步骤；图案化在所述反射膜上的包括耐受湿蚀刻的材料的阻挡金属膜的第二步骤；使用所述阻挡金属膜作为掩模对所述反射膜进行湿蚀刻的第三步骤；以及在所述阻挡金属膜上形成绝缘膜的第四步骤。